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關于瀚宸新材

專業、專注、擔當、創新

南昌瀚宸新材料科技有限公司,位于江西省南昌市國家高新開發區內,是一家以研發、生產、銷售各類鍍膜材料的公司。公司主營的產品有金屬及合金靶材、陶瓷靶材、蒸發鍍膜料、基片襯底、電子化學品,微納加工等并積極從事下游膜技術的開發及應用。

我司材料應用于航天航空、 工業鍍膜 、電子工程、光學光電和通訊儲存等領域,積累了良好的口碑和聲譽。

熱誠歡迎廣大客戶來我司考察洽談!

2016

公司成立于2016年

63

%

研發人員占比

120

+

公司產品種類

180

+

儀器設備180臺套

1200

實驗室占地面積1200㎡
了解更多
化合物靶材
合金系列AlCu, AlCr, AlMg, AlSi, AlSiCu, AlAg, AlV, CaNiCrFe, CaNiCrFeMoMn, CeGd, CeSm, CrSi, CoCr, CoCrMo, CoFe,CoFeB, CoNi, CoNiCr, CoPt, CoNbZr, CoTaZr, CoZr, CrV, CrB, CrSi, CrCu, CuCo, CuGa, CuIn, CuNi, CoNiPt, CuZr, DyFe,DyFeCo, FeB, FeC, FeMn, GdFe, GdFeCo, HfFe, IrMn, IrRe, InSn, MoSi, NiAl, NiCr, NiCrSi, NdDyFeCo, NiFe, NiMn, NiNbTi,NiTi, NiV, SmCo, AgCu, AgSn, TaAl, TbDyFe,TbFe,TbFeCo, TbGdFeCo, TiAl, TiNi, TiCr,WRe, WTi, WCu, ZrAl, ZrCu, ZrFe,ZrNb, ZrNi, ZrTi, ZrY, ZnAl, ZnMg采用高純單質金屬,熔煉或粉末冶金工藝,后經機械加工處理成型,表面車加工磨光
公差:+/-0.2mm
規格:圓片/方型尺寸根據客戶要求定
硼化物靶材Cr2B, CrB, CrB2, Cr5B3, FeB, HfB2, LaB6, Mo2B, Mo2B5, NbB,
NbB2, TaB, TaB2, TiB2,W2B, WB, VB, VB2, ZrB2
采用高純粉末,粉末熱壓工藝,后經機械加工處理成型提供靶材綁定服務
公差:+/-0.2mm
規格:圓片/方型尺寸根據客戶要求定
碳化物靶材B4C, Cr3C2, HfC, Mo2C, NbC, SiC, TaC, TiC, WC, W2C, VC, ZrC
氮化物靶材AlN, BN, GaN, HfN, NbN, Si3N4, TaN, TiN, VN, ZrN
氧化物靶材Al2O3, Sb2O3, ATO, BaTiO3, Bi2O3, CeO2, CuO, Cr2O3, Dy2O3, Er2O3, Eu2O3, Gd2O3, Ga2O3, GeO2, HfO2,Ho2O3, In2O3, ITO, Fe2O3, Fe3O4, La2O3, PbTiO3, PbZrO3, LiNbO3, Lu3Fe5O12, Lu2O3, MgO, MoO3, Nd2O3, Pr6O11, Pr(TiO2) 2, Pr2O3, Sm2O3, Sc2O3, SiO2, SiO, SrTiO3, SrZrO3, Ta2O5, Tb4O7, TeO2, ThO2, Tm2O3, TiO2, TiO, Ti3O5, Ti2O3,SnO2, SnO
WO3, V2O5, YAG, Y3Al5O12, Yb2O3, Y2O3, ZnO  等



刻蝕液類
品牌產地品名型號應用
TRANSENE美國鎳刻蝕液TFB標準鎳蝕刻液用于蒸鍍鎳薄膜
TFG高純蝕刻液用于電沉積鎳薄膜,與銅、砷化鎵及其他三五族化合物相適應
TYPE-1高純蝕刻液用于鎳、鎳鐵合金及某些不銹鋼
金刻蝕液TFA高純度、低鈉、0.2um 過濾的蝕刻液可用于半導體和微電子領域,蝕刻金和鎳。
TFAC選擇性的蝕刻液可用于砷化鎵及其他三五族金屬間化合物和半導體
GE-8148選擇性的蝕刻液可在鎳膜使用,較快的蝕刻速率。可消除在種子層快速的側向蝕刻。

GE-8110控制蝕刻速度,可在鎳膜使用。
GE-8111低pH 值,慢蝕刻速率,與鎳相適應。
金銀清洗液使用蝕刻液前預清洗
鎳鉻刻蝕液TFN最小化的底切、優異的精細線條控制,一致化操作
銀刻蝕液TFS選擇性的銀蝕刻液,與負性及正性光刻膠相適合,用于薄膜微電子開發電路元件
鉻刻蝕液1020蝕刻速率快、最小化底切,適合于高精度光刻掩膜版蝕刻
1020AC蝕刻速率慢以消除底切,具有廣泛的相適性
CRE-473與銅、鎳、金以及鉬薄膜相適應
CE-5M理想的高精度光刻掩膜版蝕刻液
TFE用于鉻-硅薄膜,與銅薄膜相適應
CE-8002-A鉻蝕刻液 CE-8002-A 是鈰銨/  醋酸基蝕刻液,用于鉻基板蝕刻,蝕刻速度慢而沒有底切。通常室溫下蝕刻時間 20-60 秒。
CE-8001-N鉻蝕刻液 CE-8001-N 是硝酸鈰銨/  硝酸基蝕刻液,用于所有類型的鉻基板蝕刻,蝕刻速度由基板中鉻密度和工藝條件決定。通常室溫下蝕刻時間 15-55 秒。這種蝕刻液也有添加了表面活性劑的鉻蝕刻液 CE-8001-NS 供應
釕蝕刻液RU-44釕蝕刻液 RU-44 是硝酸鈰銨/  硝酸基蝕刻液,用于所有類型的 蒸鍍釕薄膜的蝕刻。蝕刻速度由基板中釕密度和工藝條件決定。通常室溫下蝕刻時間 15-55 秒。這種蝕刻液也有添加了表面活性劑的釕蝕刻液 RU-44S 供應。釕蝕刻液 RU-44 適合于亞微米光刻應用。如果需要快速蝕刻,鉻-陶瓷蝕刻液 TFE 可以使用
鋁刻蝕液TYPE-A標準鋁蝕刻液用于硅器件和其他微電子應用
TYPE-D標準鋁蝕刻液用于砷化鎵、砷和磷化鎵器件以及鎳鉻電阻上鋁金屬化膜的制作

TYPE-F鋁蝕刻液F 型是一種穩定的蝕刻液,可用于在硅器件上及集成電路應用中蝕刻鋁或鋁-硅金屬化膜。鋁蝕刻液 F 型具有獨特的性質可以很容易地克服許多在鋁蝕刻時遇到的問題如金屬殘留等
印刷電路板銅蝕刻液TYPE-100用于浸沒式蝕刻
TYPE-200用于噴霧蝕刻技術
APS-100用于薄膜和印刷電路板
TYPE-49-1銅蝕刻液 49-1 是一種高純的、可控的蝕刻液,用于特殊微電子蝕刻如砷化鎵或銅。銅蝕刻液 BTP 可進行快速蝕刻,同時保持了鎳的相適性
BTP
鈀蝕刻液TFP鈀蝕刻液 TFP 設計用于濺射、蒸鍍和非電鍍沉積薄膜蝕刻高分辨圖案輪廓,這些薄膜普遍用于硅片的鎳和金的金屬化薄膜的阻擋層
EC鈀蝕刻液 EC 主要用于鈀基板的高精細電化學蝕刻,合金如鈀-銀也可很容易蝕刻。電化學蝕刻可在基板材料上精細、準確地蝕刻
鈦蝕刻液TFT設計用于蝕刻通常用做粘接和阻擋層的蒸鍍膜,優異的分辨率、光刻膠相適性以及最小化的底切
TFTN主要用于蝕刻玻璃或二氧化硅基板上沉積的鈦薄膜,不含氫氟酸
鈦鎢蝕刻液TiW-30鈦鎢蝕刻液TiW-30 適用于微電子制作中鈦-鎢粘接層的選擇性蝕刻液,可有效地蝕刻沉積在氮化硅或二氧化硅表面的鈦-鎢薄膜,具有優異的蝕刻精度和蝕刻速度控制,與正負性光刻膠廣泛的適應性
氧化鐵掩膜版蝕刻液ME-10固體器件制作非常依靠使用光刻技術制備圖案.  標準蝕刻液
ME-30固體器件制作非常依靠使用光刻技術制備圖案.  節約成本的蝕刻液
鉬蝕刻液TFM用于半導體和微電子技術的鉬薄膜金屬化層的選擇性蝕刻液



光刻膠及顯影液
品名型號規格包裝規格單位備注
光刻膠1010250ml/瓶
500ml/瓶
1L/瓶

1040
1050
1060
1070
Microchem 光刻膠SU-8 5500ml/瓶
1L/瓶
4L/瓶
現貨
SU-8 50
SU-8 100
SU-8 2000.5
SU-8 2002
SU-8 2005
SU-8 2007
SU-8 2010
SU-8 2015
SU-8 2025
SU-8 2035
SU-8 2050
SU-8 2075
SU-8 2100
SU-8 2150
SU-8 3010
SU-8 3025
SU-8 3035
PMGI-SF3500ml/瓶
PMGI-SF6
495PMMA A2500ml/瓶
495PMMA A4500ml/瓶
950PMMA A2500ml/瓶
1L/瓶

950PMMA A4500ml/瓶
1L/瓶
4L/瓶

950PMMA A5500ml/瓶
1L/瓶

950PMMA A6500ml/瓶
1L/瓶

KMPR1010500ml/瓶
KMPR1025500ml/瓶
1L/瓶
KMPR1050500ml/瓶
1L/瓶
稀釋劑SU-8 2000Thinner1L/瓶
1 加侖/瓶

增粘劑Omnicaot500ml/瓶
1L/瓶
瓶瓶
顯影液MIBK/IPA 1:34L/瓶
顯影液SU-8 Dev1L/瓶
去膠液remover PG4L/瓶
DOW/Shipley 光刻膠SPR220-3加侖/瓶
SPR220-71 加侖/瓶
1L/瓶
500ml/瓶
250ml/瓶
125ml/瓶
60ml/瓶
SPR955 0.71 加侖/瓶
1L/瓶
500ml/瓶
250ml/瓶

125ml/瓶
60ml/瓶
S1805G21 加侖/瓶
1L/瓶
500ml/瓶
250ml/瓶
125ml/瓶
60ml/瓶
S18131 加侖/瓶
1L/瓶
500ml/瓶
250ml/瓶
125ml/瓶
60ml/瓶
S1818G1 加侖/瓶
500ml/瓶
250ml/瓶
125ml/瓶
60ml/瓶
LC100A-20CP加侖/瓶
mcpr 2700 50cp加侖/瓶
S9920G加侖/瓶
顯影液MF-3195L/瓶
顯影液MF-CD-2620L/瓶
去膠液Microposit Remover 1165加侖/瓶
稀釋劑THINNER TYPE1 加侖/瓶
增粘劑Primer500ml/瓶
AZ 光刻膠AZ52141 加侖/瓶現貨
1L/瓶
500ml/瓶
250ml/瓶
AZ61301 加侖/瓶
250ml/瓶
AZ46201 加侖/瓶加侖現貨
1L/瓶
750ml/瓶
500ml/瓶
250ml/瓶
60ml/瓶
AZ1500加侖/瓶
AZ6112加侖/瓶
AZ45625L/瓶
AZ50XT夸脫/瓶
AZ MIR 7011 加侖/瓶
AZ MIR 7031 加侖/瓶
AZnLOF2070加侖/瓶ml
顯影液AZ300MIF Developer20L/桶
顯影液AZ400K加侖/瓶
去膠液AZ400T20L/桶
Futurrex 光刻膠SOG IC1-200250ml/瓶
NR7-250P250ml/瓶
NR7-250P夸脫/瓶
NR76i-1500(PYNR77-1500PY)250ml/瓶
NR26-25000P(NR21-2000P)250ml/瓶
NR21-20000P4L/瓶
NR7-1500PY250ml/瓶
1L/瓶
瓶瓶
NR9-1500PY夸脫/瓶
NR9-1500PY32 盎司/瓶(美制=29.7ml)
NR9-3000PY4L/瓶
NR9-3000P32 盎司/瓶(美制=29.7ml)
NR9-6000P250ml/瓶
NR9-8000500ml/瓶
NR9-80001L/瓶
PR1-1000A1250ml/瓶
顯影液Resist Developer RD64L/瓶
去膠液Resist Remover RR414L/瓶
光刻膠Durimede 115A250g/瓶
Durimede 116A250g/瓶
FB5410250ml/瓶
PI 7505250ml/瓶
PI 7510250ml/瓶
LTC 9510250ml/瓶
顯影液HTR-D24L/瓶
漂洗液RER 6004L/瓶
Micoresist 光刻膠OrmoComp100g/瓶
MINS-301RM200g/瓶
ma-N405250ml/瓶
ma-N440250ml/瓶
ma-D332/S2.5L/瓶
顯影液ma-D5252.5L/瓶
顯影液ma-D5255L/瓶
去膠液mr-Rem6602.5L/瓶
光刻膠BCB-3022-350.8kg/瓶
光刻膠BCB-3022-460.8kg/瓶
增粘劑AP30003.48kg/瓶
增粘劑AP80003.48kg/瓶
光刻膠TDMR-AR801 加侖/瓶
光刻膠KXN5735-L01 加侖/瓶
500ml/瓶
250ml/瓶
125ml/瓶
60ml/瓶
40ml/瓶
光刻膠AP-P3250250ml/瓶
AP 300-261L/瓶
光刻膠FOX-16125ml/瓶
負性電子束光刻膠XR-1541-002125ml/瓶
負性電子束光刻膠XR-1541-004125ml/瓶
負性電子束光刻膠XR-1541-006125ml/瓶
正性電子束光刻膠RE300.20.5100g/瓶
正性電子束光刻膠RE300.7.4100g/瓶
正性電子束光刻膠RE300.7.5100g/瓶
正性電子束光刻膠RE300.40.5100ml/瓶
RE300.95.3100ml/瓶
RE300.95.5100ml/瓶
正性電子束光刻膠PMMA 950K100g/瓶
正性電子束光刻膠PMMA 700K100g/瓶
電子束光刻膠ZEP520(RDZ)100ml/瓶
ZEP520A(RDZ)夸脫/瓶
10ml/瓶
30ml/瓶
50ml/瓶
100ml/瓶
顯影液ZED-N50(ZD)加侖/瓶
去膠液ZDMAC(ZC)加侖/瓶
顯影液TMAH 25%4L/瓶
稀釋劑PGMEA4L/瓶
去膠液NMP4L/瓶
增粘劑HMDS500ml/瓶
硅膠PDMS1.1kg


MEMS微納加工

我司可根據客戶要求定制微米及納米掩模板及壓印模板,基底可為硅基 金屬基及 PDMS 軟模板

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MEMS器件

微納模板加工,PDMS,PMMA,SI,特別推薦耐用的金屬模板

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MEMS微納加工
MEMS器件
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